Počet záznamov: 1  

Electrical properties and thermal stability of MOCVD grown Ru gate electrodes for advanced CMOS technology

  1. NázovElectrical properties and thermal stability of MOCVD grown Ru gate electrodes for advanced CMOS technology
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Machajdík Daniel SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kobzev A.P.

    Schram T.

    Lupták Roman SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Harmatha L.

    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. Microelectronic Engineering. Vol. 83, (2006), p. 2412. - Amsterdam : Elsevier Science Publishers
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaNL - Holandsko
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyOZBEN, E.D. - LOPES, J.M.J. - ROECKERATH, M. - LENK, S. - HOLLANDER, B. - JIA, Y. - SCHLOM, D.G. - SCHUBERT, J. - MANTL, S. In APPLIED PHYSICS LETTERS. AUG 4 2008, vol. 93, no. 5.
    LUO, B. - GLADFELTER, W.L. In CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION: PRECURSORS, PROCESSES AND APPLICATIONS. 2009, p. 320-356.
    LAKSHMINARAYANA, G. - KITYK, I.V. - NAGAO, T. In JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. OCT 2016, vol. 27, no. 10, p. 10791-10797.
    WASIELEWSKI, R. - GRODZICKI, M. - SITO, J. - LAMENT, K. - MAZUR, P. - CISZEWSKI, A. In ACTA PHYSICA POLONICA A. AUG 2017, vol. 132, no. 2, p. 354-356.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2006
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    200620051.347Q10.952Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.