Počet záznamov: 1  

Microstructural Analysis and Transport Properties of RuO2-Based Thick Film Resistors

  1. NázovMicrostructural Analysis and Transport Properties of RuO2-Based Thick Film Resistors
    Autor Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV    RID    RID    ORCID
    Spoluautori Flachbart Karol 1952 SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV    SCOPUS    RID    ORCID

    Pavlík Vladimír SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV

    Pietriková A.

    Gabániová Mária

    Zdroj.dok. Acta Physica Polonica A. Vol. 113, no. 1 (2008), p. 625-628
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyCIMBALA, R. - BERNAT, M. - BERNATOVA, R. Computer Modeling of Electrical Precipitation and Separation. In 11TH INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE ELECTRIC POWER ENGINEERING 2010, PROCEEDINGS, p. 209-214.
    LEMZYAKOV, S. A. - EDELMAN, V. S. The use of RuO2 resistors as broadband low-temperature radiation sensors. In INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES. ISSN 0020-4412, 2016, vol. 59, no. 4, pp. 621-626.
    LOZINSKII, N. S. - LOPANOV, A. N. - MOROZ, Ya. A. Compositions, Physical and Chemical Properties, and Compatibility of Lead-Boron-Silicate Glass with Ruthenium(IV) Oxide Compounds. In GLASS PHYSICS AND CHEMISTRY, 2021, vol. 47, no. 2, pp. 154-165. ISSN 1087-6596. Dostupné na: https://doi.org/10.1134/S1087659621020085.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2008
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.12693/APhysPolA.113.625
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    200820070.340Q40.292Q3
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.