Počet záznamov: 1  

Electrical properties of ohmic contacts for Al0.3Ga0.7N/GaN semiconductor devices

  1. NázovElectrical properties of ohmic contacts for Al0.3Ga0.7N/GaN semiconductor devices
    Autor Florovič M.
    Spoluautori Kováč Ján

    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Škriniarová Jaroslava

    Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Michalka M.

    Donoval D.

    Uherek F.

    Zdroj.dok. ASDAM 2008. P. 103-106 : conference proceedings. - Piscataway, NJ : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008 / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaUS - Spojené štáty
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    OhlasyMACHERZYNSKI, W. - GRYGLEWICZ, J. - STAFINIAK, A. - PRAZMOWSKA, J. - PASZKIEWICZ, R. In ADVANCES IN ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING. MAR 2016, vol. 14, no. 1, p. 83-88.
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2008
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2008
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.