Počet záznamov: 1
High frequency characterization and properties of AlGaN/GaN HEMT structures
Názov High frequency characterization and properties of AlGaN/GaN HEMT structures Autor Tomáška M. Spoluautori Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Mišun M. Zdroj.dok. ASDAM 2008. P. 331-334 : conference proceedings. - Piscataway, NJ : Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2008 / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Jazyk dok. eng - angličtina Krajina US - Spojené štáty Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Ohlasy JIANG, C.Y. - LIU, T. - DU, C.H. - HUANG, X. - LIU, M.M. - ZHAO, Z.F. - LI, L.X. - PU, X. - ZHAI, J.Y. - HU, W.G. - WANG, Z.L. In NANOTECHNOLOGY. NOV 10 2017, vol. 28, no. 45. Kategória AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách Kategória (od 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok Rok vykazovania 2008 
článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2008
Počet záznamov: 1