Electrical properties of AlGaN-GaN heterostructure field effect transistors

Počet záznamov: 1

Názov	Electrical properties of AlGaN-GaN heterostructure field effect transistors
Autor	Florovič M.
Spoluautori	Kováč Ján
	Škriniarová Jaroslava
	Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Michalka M.
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Donoval D.
	Uherek F.

Zdroj.dok.	. P. 61-64 APCOM 2008 : proceedings of the 14th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter, June 25-27, 2008, KRÚ Bystrá, Liptovský Ján, Slovak Republic. - Bratislava : Slovak University of Technology, 2008 / Vajda J. ; Weis M. ; Vančo M. ; Psotka E. ; APCOM 2008 International Conference on Applied Physics of Condensed Matter
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AED - Vedecké práce v domácich recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	2008

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2008

Počet záznamov: 1