Počet záznamov: 1  

Microwave characterization and properties of 2 µm gate length AlGaN/Gan HEMT structures

  1. NázovMicrowave characterization and properties of 2 µm gate length AlGaN/Gan HEMT structures
    Autor Tomáška M.
    Spoluautori Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Mišun M.

    Zdroj.dok. . P. 317-320 COMITE 2008 : Proceedings of the 14th Conference on Microwave Techniques. - Praha : Československá sekce IEEE, 2008
    Jazyk dok.eng - angličtina
    KrajinaCZ - Česká republika
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAEE - Vedecké práce v zahraničných nerecenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)O2 - Odborný výstup publikačnej činnosti ako časť knižnej publikácie alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2008
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2008
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.