Measurement of electrical properties on MOS structure with Ta2O5 gate dielectric layer and Ru-based gate electrodes

Počet záznamov: 1

Názov	Measurement of electrical properties on MOS structure with Ta2O5 gate dielectric layer and Ru-based gate electrodes
Autor	Benko P.
Spoluautori	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Paskaleva A.
	Atanassova E.
	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	APCOM 2008 : proceedings of the 14th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter, June 25-27, 2008, KRÚ Bystrá, Liptovský Ján, Slovak Republic. S. 28-31. - Bratislava : Slovak University of Technology, 2008 / Vajda J. ; Weis M. ; Vančo M. ; Psotka E. ; APCOM 2008 International Conference on Applied Physics of Condensed Matter
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	SK - Slovenská republika
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AED - Vedecké práce v domácich recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	2008

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2008

Počet záznamov: 1