On determination of properties of ultrathin and very thin silicon oxide layers by FTIR and X-ray reflectivity

Počet záznamov: 1

Názov	On determination of properties of ultrathin and very thin silicon oxide layers by FTIR and X-ray reflectivity
Autor	Kopáni M.
Spoluautori	Jergel Matej 1954- SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^SCOPUS ^RID ^ORCID
	Mikula M.
	Jurečka S.
	Pinčík Emil 1956 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^ORCID

Spoluautori	Kobayashi H. Takahashi M. Imamura K.
Zdroj.dok.	Materials Research Society Symposium Proceedings : MRS Proceedings, Vol. 1066 . p. 199-204. - Warrendale : Materials Research Society, 2008
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	US - Spojené štáty
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Ohlasy	KULSHRESHTHA, P. K. - YOON, YoHan - YOUSSEF, K. M. - GOOD, E. A. - ROZGONYI, G. Oxygen Precipitation Related Stress-Modified Crack Propagation in High Growth Rate Czochralski Silicon Wafers. In JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. ISSN 0013-4651, 2012, vol. 159, no. 2, pp. H125.
Kategória	AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2008

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
0

Počet záznamov: 1