Investigation of deep interface traps in very-thin oxide /Si structures prepared at low temperatures using chemical solutions

Počet záznamov: 1

Názov	Investigation of deep interface traps in very-thin oxide /Si structures prepared at low temperatures using chemical solutions
Autor	Rusnák Jaroslav 1958 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^ORCID Pinčík Emil 1956 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^ORCID

Spoluautori	Ružinský M. Imamura K. Matsumoto T. Štefečka M. Takahashi M. Kobayashi H.
Zdroj.dok.	Materials Science Forum. Vol. 609 (2009), p. 123. - Zürich : Trans. Tech. Publications
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	CH - Švajčiarsko
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2009
Registrované v	WOS

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2009	2008			0.298	Q2

Počet záznamov: 1