A simulation model for chemically amplified resist CAMP6

Počet záznamov: 1

Názov	A simulation model for chemically amplified resist CAMP6
Autor	Vutova Katia
Spoluautori	Koleva Elena
	Mladenov Georgy
	Kostič Ivan 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV ^SCOPUS ^RID ^ORCID
	Tanaka T.
	Kawabata Keishi

Zdroj.dok.	Microelectronic Engineering : an international journal of semiconductor manufacturing technology. Vol. 86, (2009) p. 714-717
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	NL - Holandsko
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	ZHANG, Hui - KOMORI, Takuya - ZHANG, Yulong - YIN, You - HOSAKA, Sumio. Simulation of Fine Resist Profile Formation by Electron Beam Drawing and Development with Solubility Rate Based on Energy Deposition Distribution. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-4922, 2013, vol. 52, no. 12, pp.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2009
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.mee.2008.11.010

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2009	2008	1.583	Q2	1.027	Q1

Počet záznamov: 1