Počet záznamov: 1
A simulation model for chemically amplified resist CAMP6
Názov A simulation model for chemically amplified resist CAMP6 Autor Vutova Katia Spoluautori Koleva Elena Mladenov Georgy Kostič Ivan 1955- SAVINFO - Ústav informatiky SAV SCOPUS RID ORCID Tanaka T. Kawabata Keishi Zdroj.dok. Microelectronic Engineering : an international journal of semiconductor manufacturing technology. Vol. 86, (2009) p. 714-717 Jazyk dok. eng - angličtina Krajina NL - Holandsko Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy ZHANG, Hui - KOMORI, Takuya - ZHANG, Yulong - YIN, You - HOSAKA, Sumio. Simulation of Fine Resist Profile Formation by Electron Beam Drawing and Development with Solubility Rate Based on Energy Deposition Distribution. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-4922, 2013, vol. 52, no. 12, pp. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2009 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1016/j.mee.2008.11.010 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2009 2008 1.583 Q2 1.027 Q1
Počet záznamov: 1