Počet záznamov: 1
Oxidized Al film as an insulation layer in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure heterostructure field effect transistors
Názov Oxidized Al film as an insulation layer in AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure heterostructure field effect transistors Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Sofer Z. Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Mikulics M. Greguš Ján Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. . Vol. 49, (2010), art. no. 046504 Japanese Journal of Applied Physics Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy OZEN, S. - SENAY, V. - PAT, S. - KORKMAZ, S. In MATERIALS RESEARCH EXPRESS. APR 2016, vol. 3, no. 4. KANAGA, S. - KUSHWAH, B. - DUTTA, G. - DASGUPTA, N. - DASGUPTA, A. AlInN/GaN MIS-HEMTs with High Pressure Oxidized Aluminium as Gate Dielectric. In 2018 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRONICS, COMPUTING AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES (CONECCT). 2018. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2010 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1143/JJAP.49.046504 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2010 2009 1.138 Q3 0.488 Q1
Počet záznamov: 1