Počet záznamov: 1  

Gate oxide thickness dependence of the leakage current mechanism in Ru/Ta2O5/SiON/Si structures

  1. NázovGate oxide thickness dependence of the leakage current mechanism in Ru/Ta2O5/SiON/Si structures
    Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Paskaleva A.

    Atanassova E.

    Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 25, (2010), no. 075007
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyRAO, R. - LORENZI, P. - IRRERA, F. In JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. MAY 2014, vol. 32, no. 3.
    VIJAYAKUMAR, V. - VARADARAJAN, B. In MATERIALS RESEARCH EXPRESS. APR 2015, vol. 2, no. 4.
    LEI, Z.C. - ABIDIN, N.I.Z. - WONG, Y.H. Structural, chemical, and electrical properties of ZrO2/Ge system formed via oxidation/nitridation in N2O gas ambient. In JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. AUG 2018, vol. 29, no. 15, p. 12888-12898.
    LEI, Zhen Ce - ODESANYA, Kazeem Olabisi - WONG, Yew Hoong. High-K gate oxide thin films based on germanium semiconductor substrate: A review. In Selected Topics in Germanium, 2022-09-02, pp. 47-92.
    SHARMA, U. - ASIF, M. - VARMA, V.M. - KUMAR, G. - MISHRA, S. - KUMAR, A. - THOMAS, R. Pulsed laser deposited Dy and Ta doped hafnium- zirconium oxide thin films for the ihigh-k/i applications. In PHYSICA SCRIPTA. ISSN 0031-8949, MAY 1 2023, vol. 98, no. 5. Dostupné na: https://doi.org/10.1088/1402-4896/accc5e.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2010
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1088/0268-1242/25/7/075007
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201020091.253Q20.865Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.