Electrical properties of Al0,3Ga0,7N/GaN heterostructure field effect transistor

Počet záznamov: 1

Názov	Electrical properties of Al0,3Ga0,7N/GaN heterostructure field effect transistor
Autor	Florovič M.
Spoluautori	Kováč Ján
	Škriniarová Jaroslava
	Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Donoval D.
	Kinder R.
	Tomáška M.

Zdroj.dok.	/ Vajda J. ; Weiss M. APCOM 2010 : proceedings of the 16th International Conference on Applied Physics of Condensed matter. P. 205-209. - Bratislava : Slovenská technická univerzita v Bratislave, 2010
Jazyk dok.	eng - angličtina
Krajina	SK - Slovenská republika
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AED - Vedecké práce v domácich recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	2010

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2010

Počet záznamov: 1