Počet záznamov: 1  

Comparison of AlGaN/GaN HFETs and MOSHFETs in prospect of oscillator design

  1. NázovComparison of AlGaN/GaN HFETs and MOSHFETs in prospect of oscillator design
    Autor Fox A.
    Spoluautori Mikulics M.

    Strang B.

    Marso M.

    Grützmacher D.

    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zdroj.dok. ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 159-162. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
    Kategória (od 2022)V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Typ výstupupríspevok
    Rok vykazovania2010
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2010
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.