N-doped nanocrystalline silicon carbide films prepared by PECVD

Počet záznamov: 1

Názov	N-doped nanocrystalline silicon carbide films prepared by PECVD
Autor	Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Valovič Albín SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kobzev A.P.
	Shvetsov V.N.
	Kučera Michal 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Malinovsky L.

Zdroj.dok.	ASDAM 2010 : proceedings of the 8th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 81-84. - Piscataway : IEEE, 2010 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AEC - Vedecké práce v zahraničných recenzovaných vedeckých zborníkoch (aj konferenčných), monografiách
Kategória (od 2022)	V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
Typ výstupu	príspevok
Rok vykazovania	2010

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2010

Počet záznamov: 1