Impact of ZnO gate interfacial layer on piezoelectric response of AlGaN/GaN C-HEMT based ring gate capacitor

Počet záznamov: 1

Názov	Impact of ZnO gate interfacial layer on piezoelectric response of AlGaN/GaN C-HEMT based ring gate capacitor
Autor	Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Vallo Martin SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Držík Milan
	Bruncko J.
	Jakovenko J.
	Kutiš V.
	Rýger Ivan 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Husák M.

Zdroj.dok.	Sensors and Actuators A. Vol. 172, (2011), p. 386-391
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	WANG, C. - ZHANG, K. - HE, Y.L. - ZHENG, X.F. - MA, X.H. - ZHANG, J.C. - HAO, Y. In CHINESE PHYSICS LETTERS. DEC 2014, vol. 31, no. 12.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2011
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.sna.2011.09.028

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2011	2010	3.370	Q1	1.434	Q1

Počet záznamov: 1