Počet záznamov: 1  

Improvements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering

  1. NázovImprovements of high performance 2-nm-thin InAlN/AlN barrier devices by interface engineering
    Autor Ostermaier C.
    Spoluautori Pozzovivo G.

    Carlin J.-F.

    Basnar B.

    Schrenk W.

    Ahn S.-I.

    Detz H.

    Klang P.

    Andrews A.M.

    Douvry Y.

    Gaquiere C.

    De Jaeger J.-C.

    Toth L.

    Pécz B.

    Gonschorek M.

    Feltin E.

    Grandjean N.

    Strasser G.

    Pogany D.

    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Zdroj.dok. AIP Conference Proceedings. Vol. 1399, (2011), p. 905-906
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyDU, J. - PAN, P. - YAN, H. - YU, Q. In NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY LETTERS. SEP 2014, vol. 6, no. 9, p. 830-834.
    KategóriaADEB - Vedecké práce v ostatných zahraničných časopisoch neimpaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    DOI 10.1063/1.3666669
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    N
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2011
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.