Počet záznamov: 1  

Comparative study of InAlN/GaN HFETs with and without thermal oxidized InAlN of different composition

  1. NázovComparative study of InAlN/GaN HFETs with and without thermal oxidized InAlN of different composition
    Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Mikulics M.

    Zdroj.dok. / Vajda J. ; Jamnický I. APCOM 2012 : proceedings on Applied Physics of Condensed Matter of the 18th International Conference. P. 165-168. - Bratislava : Slovenská technická univerzita v Bratislave, 2012 ; International Conference on Applied Physics of Condensed Matter APCOM 2012
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rzb)
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Rok vykazovania2012
    článok

    článok

    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    2012
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.