Počet záznamov: 1
Residual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements
Názov Residual strain in recessed AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors evaluated by micro photoluminescence measurements Autor Mikulics M. Spoluautori Hartdegen H. Winden A. Fox A. Marso M. Sofer Z. Luth H. Grützmacher D. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Physica status solidi C. Current topics in solid state physics. Vol. 9, (2012), p. 911-914 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy YUAN, J.L. - GAO, X.M. - YANG, Y.C. - ZHU, G.X. - YUAN, W. - CHOI, H.W. - ZHANG, Z.Y. - WANG, Y.J. GaN directional couplers for on-chip optical interconnect. In SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. APR 2017, vol. 32, no. 4. JIA, J.J. - LIN, C.C. - LEE, C.T. Scaling Effect in Gate-Recessed AlGaN/GaN Fin-Nanochannel Array MOSHEMTs. In IEEE ACCESS. ISSN 2169-3536, 2020, vol. 8, p. 158941-158946. ZHANG, Jie - ZHENG, Fuzhong - DU, Junjie - LU, Yuting - LI, Zhonghao - WU, Ying. Research on SWCNT non-contact strain sensor based on photoluminescence principle. In 2023 4th International Seminar on Artificial Intelligence, Networking and Information Technology, AINIT 2023, 2023-01-01, pp. 771-775. Dostupné na: https://doi.org/10.1109/AINIT59027.2023.10212479. Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS DOI 10.1002/pssc.201100408 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore N rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2012 2011 0.453 Q3
Počet záznamov: 1