Characterization of epitaxial 4H-SiC for photon detectors

Počet záznamov: 1

Názov	Characterization of epitaxial 4H-SiC for photon detectors
Autor	Dubecký František 1946 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Gombia E.
	Ferrari C.
	Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Baldini M.
	Kováč Jaroslav
	Baček D.
	Kováč P.
	Hrkút Pavol 1948- SAVINFO - Ústav informatiky SAV ^SCOPUS ^RID
	Nečas V.

Zdroj.dok.	Journal of Instrumentation. Vol. 7 (2012), P09005
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	LIU, Lin-Yue - WANG, Ling - JIN, Peng - LIU, Jin-Liang - ZHANG, Xian-Peng - CHEN, Liang - ZHANG, Jiang-Fu - OUYANG, Xiao-Ping - LIU, Ao - HUANG, Run-Hua - BAI, Song. The Fabrication and Characterization of Ni/4H-SiC Schottky Diode Radiation Detectors with a Sensitive Area of up to 4 cm(2). In SENSORS. ISSN 1424-8220, 2017, vol. 17, no. 10, pp.
	OU, Haiyan - SHI, Xiaodong - LU, Yaoqin - KOLLMUSS, Manuel - STEINER, Johannes - TABOURET, Vincent - SYVAJARVI, Mikael - WELLMANN, Peter - CHAUSSENDE, Didier. Novel Photonic Applications of Silicon Carbide. In MATERIALS, 2023, vol. 16, no. 3, pp. Dostupné na: https://doi.org/10.3390/ma16031014.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2012
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1088/1748-0221/7/09/P09005

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2012	2011	1.869	Q1	1.126	Q1

Počet záznamov: 1