Počet záznamov: 1
GaAs-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with aluminum oxide gate insulator prepared in situ by MOCVD
Názov GaAs-based metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with aluminum oxide gate insulator prepared in situ by MOCVD Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Fox A. Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Mikulics M. Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 27, (2012), 115002 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1088/0268-1242/27/11/115002 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2012 2011 1.723 Q1 1.008 Q1
Počet záznamov: 1