Počet záznamov: 1
Thermally oxidized InAlN of different compositions for InAlN/GaN heterostruture field-effect transistors
Názov Thermally oxidized InAlN of different compositions for InAlN/GaN heterostruture field-effect transistors Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Mikulics M. Stoklas Roman 1981 ORCID Čičo Karol Dadgar A. Grützmacher D. Krost A. Zdroj.dok. Journal of Electronics Materials. Vol. 41 (2012), p. 3013-3016 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy HUANG, X.X. - TANG, X.G. - LAI, J.L. - JIANG, Y.P. - LIU, Q.X. - XIONG, D.P. In JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. OCT 2015, vol. 44, no. 10, p. 3783-3787. LACHAB, M. - SULTANA, M. - FAREED, Q. - HUSNA, F. - ADIVARAHAN, V. - KHAN, A. Transport properties of SiO2/AlInN/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistors on SiC substrate. In JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, vol. 47, no. 13, pp. ISSN 0022-3727. Dostupné na: https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/13/135108. PALMESE, Elia - PEART, Matthew R. - BOROVAC, Damir - SONG, Renbo - TANSU, Nelson - WIERER, Jonathan J. Thermal oxidation rates and resulting optical constants of Al0.83In0.17N films grown on GaN. In JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2021, vol. 129, no. 12, pp. ISSN 0021-8979. Dostupné na: https://doi.org/10.1063/5.0035711. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2012 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1007/s11664-012-2096-4 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2012 2011 1.466 Q2 0.844 Q1
Počet záznamov: 1