Electrical and optical characterization of Ni/Al0,3Ga0,7N/GaN Schottky barrier diodes

Počet záznamov: 1

Názov	Electrical and optical characterization of Ni/Al0,3Ga0,7N/GaN Schottky barrier diodes
Autor	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Škriniarová Jaroslava
	Chvála A.
	Florovič M.
	Kováč Jaroslav
	Donoval D.

Zdroj.dok.	Journal of Electronics Materials. Vol. 41 (2012), p. 3017-3020
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	GASSOUMI, M. - MOSBAHI, H. - SOLTANI, A. - SBRUGNERA-AVRAMOVIC, V. - ZAIDI, M.A. - GAQUIERE, C. - MEJRI, H. - MAAREF, H. In MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. DEC 2013, vol. 16, no. 6, p. 1775-1778.
	SHARMIN, S. - MURAKI, K. - FUJISAWA, T. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. NOV 2013, vol. 52, no. 11, 1.
	NAKAMURA, A. - SUGIYAMA, M. - FUJII, K. - NAKANO, Y. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. AUG 2013, vol. 52, no. 8, 2, SI.
	TURUT, Abdulmecit - KARABULUT, Abdulkerim - EFEOGLU, Hasan. Effect of the Al2O3 interfacial layer thickness on the measurement temperature-induced I-V characteristics in Au/Ti/Al2O3/n-GaAs structures. In JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. ISSN 0957-4522, 2021, vol. 32, no. 17, pp. 22680-22688. Dostupné na: https://doi.org/10.1007/s10854-021-06753-1.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2012
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1007/s11664-012-2184-5

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2012	2011	1.466	Q2	0.844	Q1

Počet záznamov: 1