Počet záznamov: 1  

Electrical and optical characterization of Ni/Al0,3Ga0,7N/GaN Schottky barrier diodes

  1. NázovElectrical and optical characterization of Ni/Al0,3Ga0,7N/GaN Schottky barrier diodes
    Autor Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Škriniarová Jaroslava

    Chvála A.

    Florovič M.

    Kováč Jaroslav

    Donoval D.

    Zdroj.dok. Journal of Electronics Materials. Vol. 41 (2012), p. 3017-3020
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyGASSOUMI, M. - MOSBAHI, H. - SOLTANI, A. - SBRUGNERA-AVRAMOVIC, V. - ZAIDI, M.A. - GAQUIERE, C. - MEJRI, H. - MAAREF, H. In MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. DEC 2013, vol. 16, no. 6, p. 1775-1778.
    SHARMIN, S. - MURAKI, K. - FUJISAWA, T. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. NOV 2013, vol. 52, no. 11, 1.
    NAKAMURA, A. - SUGIYAMA, M. - FUJII, K. - NAKANO, Y. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. AUG 2013, vol. 52, no. 8, 2, SI.
    TURUT, Abdulmecit - KARABULUT, Abdulkerim - EFEOGLU, Hasan. Effect of the Al2O3 interfacial layer thickness on the measurement temperature-induced I-V characteristics in Au/Ti/Al2O3/n-GaAs structures. In JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS. ISSN 0957-4522, 2021, vol. 32, no. 17, pp. 22680-22688. Dostupné na: https://doi.org/10.1007/s10854-021-06753-1.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2012
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1007/s11664-012-2184-5
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201220111.466Q20.844Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.