Early stage degradation of InAlN/GaN HEMTs during electrical stress

Počet záznamov: 1

Názov	Early stage degradation of InAlN/GaN HEMTs during electrical stress
Autor	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Fedor Ján 1976 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Carlin J.-F.
	Grandjean N.
	Killat N.
	Kuball M.
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	/ Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 7-10. - Piscataway : IEEE, 2012 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Ohlasy	ROSSETTO, I. - RAMPAZZO, F. - SILVESTRI, R. - ZANANDREA, A. - DUA, C. - DELAGE, S. - OUALLI, M. - MENEGHINI, M. - ZANONI, E. - MENEGHESSO, G. In MICROELECTRONICS RELIABILITY. SEP-NOV 2013, vol. 53, no. 9-11, SI, p. 1476-1480.
	WU, Y.F. - DEL ALAMO, J.A. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. SEP 2016, vol. 63, no. 9, p. 3487-3492.
Kategória	AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2012

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2012

Počet záznamov: 1