Influence of layer structure on electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs

Počet záznamov: 1

Názov	Influence of layer structure on electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs
Autor	Benko P.
Spoluautori	Kováč Jaroslav
	Chvála A.
	Florovič M.
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Škriniarová Jaroslava
	Harmatha L.

Zdroj.dok.	ASDAM 2012 : conference proceedings. P. 41-44. - Piscataway : IEEE, 2012 / Haščík Štefan 1956 ; Osvald Jozef 1953 ; International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM 2012
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2012

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2012

Počet záznamov: 1