Current transport mechanisms of amorphous n–doped silicon carbide/crystalline silicon heterostructure: impact of nitrogen dopation

Počet záznamov: 1

Názov	Current transport mechanisms of amorphous n–doped silicon carbide/crystalline silicon heterostructure: impact of nitrogen dopation. [elektronický zdroj]
Autor	Perný M.
Spoluautori	Mikolášek M.
	Šály V.
	Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Országh J.

Zdroj.dok.	35th International Spring Seminar on Electronics Technology. P. 25-30. - : IEEE, 2012
Jazyk dok.	slo - slovenčina
Krajina	SK - Slovenská republika
Druh dok.	rozpis článkov z elektronických zdrojov
Kategória	GHG - Práce zverejnené spôsobom umožňujúcim hromadný prístup
Rok vykazovania	2012

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2012

Počet záznamov: 1