Influence of gate recess etching on electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs

Počet záznamov: 1

Názov	Influence of gate recess etching on electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs
Autor	Benko P.
Spoluautori	Kováč Jaroslav
	Florovič M.
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Škriniarová Jaroslava
	Harmatha L.

Zdroj.dok.	/ Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. ; Vincze A. Proceedings of ADEPT : 1st International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 32-35. - Žilina : University of Žilina, 2013
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2013

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2013

Počet záznamov: 1