GaAs mesh type transmission photocathode prepared by inductively oupled plasma CCl2F2 etching of GaAs substrate

Počet záznamov: 1

Názov	GaAs mesh type transmission photocathode prepared by inductively oupled plasma CCl2F2 etching of GaAs substrate
Autor	Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Balalykin Nikolay I.
	Hotový I.
	Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Feshchenko A.A.
	Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

Zdroj.dok.	Proceedings of ADEPT : 1st International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies. P. 233-236. - Žilina : University of Žilina, 2013 / Pudiš D. ; Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr. ; Vincze A.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2013

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2013

Počet záznamov: 1