Počet záznamov: 1
Zr2/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with InAlN barrier of different compositions
Názov Zr2/InAlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with InAlN barrier of different compositions Autor Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Hušeková Kristína 1957 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Carlin J.-F. Grandjean N. Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Zdroj.dok. Japanese Journal of Applied Physics. Vol. 52, (2013), 08JN07 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy SCHAEFER, A. - BESMEHN, A. - LUYSBERG, M. - WINDEN, A. - STOICA, T. - SCHNEE, M. - ZANDER, W. - NIU, G. - SCHROEDER, T. - MANTL, S. - HARDTDEGEN, H. - MIKULICS, M. - SCHUBERT, J. In SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. JUL 2014, vol. 29, no. 7. FREEDSMAN, J.J. - WATANABE, A. - URAYAMA, Y. - EGAWA, T. In APPLIED PHYSICS LETTERS. SEP 7 2015, vol. 107, no. 10. LIU, H.Y. - OU, W.C. - HSU, W.C. In IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY. SEP 2016, vol. 4, no. 5, p. 358-364. DUAN, T.L. - LIU, Z.H. In GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES. 2017, p. 145-191. CHEN, Fan - ZHANG, Lin-Qing - WANG, Peng-Fei. AlN/GaN HEMT with Gate Insulation and Current Collapse Suppression Using Thermal ALD ZrO2. In JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. ISSN 0361-5235, 2019, vol. 48, no. 11, pp. CUI, P. - ZHANG, J. - JIA, M. - LIN, G.Y. - WEI, L.C. - ZHAO, H.C. - GUNDLACH, L. - ZENG, Y.P. InAlN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistor with plasma enhanced atomic layer-deposited ZrO2 as gate dielectric. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. ISSN 0021-4922, FEB 1 2020, vol. 59, no. 2. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2013 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2013 2012 1.067 Q3 0.503
Počet záznamov: 1