Effects of gate shaping and consequent process changes on AlGaN/GaN HEMT reliability

Počet záznamov: 1

Názov	Effects of gate shaping and consequent process changes on AlGaN/GaN HEMT reliability
Autor	Moereke J.
Spoluautori	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Uren M.J.
	Pei Y.
	Mishra Umesh K.
	Kuball M.

Zdroj.dok.	Physica status solidi A. Applications and materials science. Vol. 209, (2013), p. 2646-2652
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	HAHN, H. - REUTERS, B. - GEIPEL, S. - SCHAUERTE, M. - BENKHELIFA, F. - AMBACHER, O. - KALISCH, H. - VESCAN, A. In JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. MAR 14 2015, vol. 117, no. 10.
	HAHN, H. - BENKHELIFA, F. - AMBACHER, O. - BRUNNER, F. - NOCULAK, A. - KALISCH, H. - VESCAN, A. In IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. FEB 2015, vol. 62, no. 2, p. 538-545.
	BORDOLOI, Sushanta - RAY, Ashok - TRIVEDI, Gaurav. Simulation framework for GaN devices with special mention to reliability concern. In VLSI and Post-CMOS Electronics, 2019-01-01, pp. 63-83. Dostupné na: https://doi.org/10.1049/PBCS073G_ch4.
	BORDOLOI, S. - RAY, A. - TRIVEDI, G. Introspection Into Reliability Aspects in AlGaN/GaN HEMTs With Gate Geometry Modification. In IEEE ACCESS. ISSN 2169-3536, 2021, vol. 9, p. 99828-99841.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2013
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1002/pssa.201228395

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2013	2012	1.469	Q2	0.866	Q1

Počet záznamov: 1