Počet záznamov: 1  

Enhanced sensitivity of Pt/NiO gate based AlGaN/GaN C-HEMT hydrogen sensor

  1. NázovEnhanced sensitivity of Pt/NiO gate based AlGaN/GaN C-HEMT hydrogen sensor
    Autor Rýger Ivan 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
    Spoluautori Vanko Gabriel 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Lalinský Tibor 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Dzuba Jaroslav 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Vallo Martin SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Kunzo Pavol 1985 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Vávra Ivo 1949 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zdroj.dok. Key Engineering Materials. Vol. 605, (2014), p. 491-494
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyAJAYAN, J. - NIRMAL, D. - RAMESH, R. - BHATTACHARYA, Sandip - TAYAL, Shubham - JOSEPH, L. M. I. Leo - THOUTAM, Laxman Raju - AJITHA, D. A critical review of AlGaN/GaN-heterostructure based Schottky diode/HEMT hydrogen (H-2) sensors for aerospace and industrial applications. In MEASUREMENT, 2021, vol. 186, no., pp. ISSN 0263-2241. Dostupné na: https://doi.org/10.1016/j.measurement.2021.110100.
    KategóriaADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2014
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    DOI 10.4028/www.scientific.net/KEM.605.491
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    N
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201420130.190Q3
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.