Počet záznamov: 1
Degradation of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors in the current-controlled off-state breakdown
Názov Degradation of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors in the current-controlled off-state breakdown Autor Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Brunner F. Cho E.-M. Meneghesso G. Würfl H.-J. Zdroj.dok. Journal of Applied Physics. Vol. 115 (2014), 164504 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy Ren, F., Pearton, S.J., Polyakov, A.Y. In Advances in Photonics Engineering, Nanophotonics and Biophotonics Nova Science Publishers, Inc 2016 ISBN: 978-163484530-4 Pages 57-117 JANG, Seung Yup - MOON, Sung Woon - PARK, Jinhong. Research on a next-generation power semiconductor: A GaN HFET power switching device. In New Physics: Sae Mulli. ISSN 03744914, 2015-01-01, 65, 1, pp. 1-13. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1063/1.4873301 článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2014 2013 2.185 Q2 1.165 Q1
Počet záznamov: 1