Degradation of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors in the current-controlled off-state breakdown

Počet záznamov: 1

Názov	Degradation of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors in the current-controlled off-state breakdown
Autor	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Jurkovič Michal SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Brunner F.
	Cho E.-M.
	Meneghesso G.
	Würfl H.-J.

Zdroj.dok.	Journal of Applied Physics. Vol. 115 (2014), 164504
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	Ren, F., Pearton, S.J., Polyakov, A.Y. In Advances in Photonics Engineering, Nanophotonics and Biophotonics Nova Science Publishers, Inc 2016 ISBN: 978-163484530-4 Pages 57-117
	JANG, Seung Yup - MOON, Sung Woon - PARK, Jinhong. Research on a next-generation power semiconductor: A GaN HFET power switching device. In New Physics: Sae Mulli. ISSN 03744914, 2015-01-01, 65, 1, pp. 1-13.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2014
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1063/1.4873301

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2014	2013	2.185	Q2	1.165	Q1

Počet záznamov: 1