Gate leakage reduction of AlGaN/GaN MOS-HFETs with HfO2 prepared by ALD

Počet záznamov: 1

Názov	Gate leakage reduction of AlGaN/GaN MOS-HFETs with HfO2 prepared by ALD
Autor	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Čičo Karol SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Fröhlich Karol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kordoš Peter

Zdroj.dok.	ASDAM 2014 : The 10th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 133-136. - : IEEE, 2014 / Breza Juraj ; Donoval Daniel ; Vavrinský E.
Jazyk dok.	slo - slovenčina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2014

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2014

Počet záznamov: 1