Reduction of skin effect losses in double-level-T-gate structure

Počet záznamov: 1

Názov	Reduction of skin effect losses in double-level-T-gate structure
Autor	Mikulics M.
Spoluautori	Hardtdegen H.
	Arango Y.C.
	Adam Roman
	Fox A.
	Grützmacher D.
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Stanček S.
	Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Sofer Z.
	Juul L.
	Marso M.

Zdroj.dok.	Applied Physics Letters. Vol. 105, (2014), 232102
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	MADHULIKA - MALIK, Amit - KAMBOJ, Priyanka - AWASTHI, Shivansh - THAKUR, Priyanka - JAIN, Neelu - MISHRA, Meena - KUMAR, Sanjeev - RAWAL, Dipendra S. - SINGH, Arun K. Parameter-based modeling of nanoscale material thermal noise in gallium nitride high-electron-mobility transistors. In SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, vol. 36, no. 3, pp. ISSN 0268-1242. Dostupné na: https://doi.org/10.1088/1361-6641/abd265.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2014
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1063/1.4903468

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2014	2013	3.515	Q1	2.149	Q1

Počet záznamov: 1