III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap

Počet záznamov: 1

Názov	III-As heterostructure field-effect transistors with recessed ex-situ gate oxide by O2 plasma-oxidized GaAs cap
Autor	Gucmann Filip 1987 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Kúdela Róbert 1952 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Gaži Štefan 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Liday J.
	Vogrinčič P.
	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Journal of Vacuum Science and Technology B. Vol. 33, (2015), 01A111, Microelectronics and Nanometer Structures
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2015
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1116/1.4905938

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2015	2014	1.464	Q2	0.509	Q2

Počet záznamov: 1