Počet záznamov: 1  

Extraction of interface trap density of Al2O3/AlGaN/GaN MIS heterostructure capacitance

  1. NázovExtraction of interface trap density of Al2O3/AlGaN/GaN MIS heterostructure capacitance
    Autor Osvald Jozef 1953 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID
    Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Kordoš Peter SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Zdroj.dok. Physica status solidi B. Basic solid state physics. Vol. 252 (2015), p. 996-1000
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasySURIA, A.J. - YALAMARTHY, A.S. - SO, H. - SENESKY, D.G. In SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. NOV 2016, vol. 31, no. 11.
    YATABE, Z. - ASUBAR, J.T. - HASHIZUME, T. In JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. OCT 5 2016, vol. 49, no. 39.
    NISHIGUCHI, K. - KANEKI, S. - OZAKI, S. - HASHIZUME, T. In JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. OCT 2017, vol. 56, no. 10.
    HASHIZUME, T. - NISHIGUCHI, K. - KANEKI, S. - KUZMIK, J. - YATABE, Z. State of the art on gate insulation and surface passivation for GaN-based power HEMTs. In MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. MAY 2018, vol. 78, p. 85-95.
    OUDUANGVILAI, Konepachith - LEE, Hoon-Ki - JANARDHANAM, Vallivedu - REDDY, P. R. Shekar - CHOI, Chel-Jong - SHIM, Kyu-Hwan. Study of Gate Leakage Current on AlGaN/GaN MOS-HEMTs with Atomic Layer Deposited Al2O3 Gate Oxide. In JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE. ISSN 1598-1657, 2019, vol. 19, no. 6, pp. 540-550.
    KUZMIN, Mikhail - LEHTIO, Juha-Pekka - MAKELA, Jaakko - YASIR, Muhammad - RAD, Zahra Jahanshah - VUORINEN, Esa - LAHTI, Antti - PUNKKINEN, Marko - LAUKKANEN, Pekka - KOKKO, Kalevi - HEDMAN, Hannu-Pekka - PUNKKINEN, Risto - LASTUSAARI, Mika - REPO, Paivikki - SAVIN, Hele. Observation of Crystalline Oxidized Silicon Phase. In ADVANCED MATERIALS INTERFACES. ISSN 2196-7350, 2019, vol. 6, no. 6, pp.
    VISWANATHAN, S. - PRAVIN, C. - ARASAMUDI, R.B. - PAVITHRAN, P. Influence of Interface trap distributions over the device characteristics of AlGaN/GaN/AlInN MOS-HEMT using Cubic Spline Interpolation technique. In INTERNATIONAL JOURNAL OF NUMERICAL MODELLING-ELECTRONIC NETWORKS DEVICES AND FIELDS. ISSN 0894-3370, JAN 2022, vol. 35, no. 1. Dostupné na: https://doi.org/10.1002/jnm.2936.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2015
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1002/pssb.201451468
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201520141.469Q30.805Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.