GaAs detectors irradiated by electrons at different dose rates

Počet záznamov: 1

Názov	GaAs detectors irradiated by electrons at different dose rates
Autor	Šagátová A.
Spoluautori	Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Sedláčková K.
	Pavlovič M.
	Fulop M.
	Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Nečas V.

Zdroj.dok.	Journal of Instrumentation. Vol. 9 (2014), no. C12050
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	OZDEN, Selin - KOC, Mumin Mehmet. Wet-chemical etching of GaAs(211)B wafers for controlling the surface properties. In INTERNATIONAL JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND ENGINEERING. ISSN 1749-785X, 2019, vol. 13, no. 2-3, pp. 79-109.
	PENG, J.B. - ZOU, J.J. - TANG, B. - ZHU, Z.F. - CHEN, D.H. - DENG, W.J. - PENG, X.C. Effects of electron irradiation and thermal annealing on characteristics of semi -insulating gallium -arsenide alpha -particle detectors. In NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. ISSN 0168-9002, JUL 21 2020, vol. 969.
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2014
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1088/1748-0221/9/12/C12050

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	GaAs detectors irradiated by electrons at different dose rates.pdf	Neprístupný/archív	705.7 KB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2014	2013	1.526	Q2	0.708	Q1

Počet záznamov: 1