Počet záznamov: 1
GaAs detectors irradiated by electrons at different dose rates
Názov GaAs detectors irradiated by electrons at different dose rates Autor Šagátová A. Spoluautori Zaťko Bohumír 1973 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Sedláčková K. Pavlovič M. Fulop M. Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Nečas V. Zdroj.dok. Journal of Instrumentation. Vol. 9 (2014), no. C12050 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rbx) Ohlasy OZDEN, Selin - KOC, Mumin Mehmet. Wet-chemical etching of GaAs(211)B wafers for controlling the surface properties. In INTERNATIONAL JOURNAL OF SURFACE SCIENCE AND ENGINEERING. ISSN 1749-785X, 2019, vol. 13, no. 2-3, pp. 79-109. PENG, J.B. - ZOU, J.J. - TANG, B. - ZHU, Z.F. - CHEN, D.H. - DENG, W.J. - PENG, X.C. Effects of electron irradiation and thermal annealing on characteristics of semi -insulating gallium -arsenide alpha -particle detectors. In NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. ISSN 0168-9002, JUL 21 2020, vol. 969. Kategória ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2014 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS Registrované v CCC DOI 10.1088/1748-0221/9/12/C12050 článok
Názov súboru Prístup Veľkosť Stiahnuté Typ Licence GaAs detectors irradiated by electrons at different dose rates.pdf Neprístupný/archív 705.7 KB 0 Vydavateľská verzia rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore A rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2014 2013 1.526 Q2 0.708 Q1
Počet záznamov: 1