Počet záznamov: 1
The effect of xe ion and neutron irradiation on the properties of SiC and SiC(N) film prepared by PECVD technology
Názov The effect of xe ion and neutron irradiation on the properties of SiC and SiC(N) film prepared by PECVD technology Autor Huran Jozef 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Hrubčín Ladislav 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Boháček Pavol 1954 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Borzakov S.B. Skuratov V.A. Kobzev A.P. Kleinová Angela 1960- SAVPOLYM - Ústav polymérov SAV ORCID Sasinková Vlasta 1954- SAVCHEM - Chemický ústav SAV Zdroj.dok. / Ristič Goran ; Ajayi-Banji A.A. ; Antsiferova A.A. RAD 2015 : proceedings Third International Conference on Radiation and Applications in Various Fields of Research. P. 399-403. - Niš : RAD Association, 2015 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Ohlasy SU, Q. - WANG, T.Y. - GIGAX, J. - SHAO, L. - LANFORD, W.A. - NASTASI, M. - LI, L.Y. - BHATTARAI, G. - PAQUETTE, M.M. - KING, S.W. Influence of topological constraints on ion damage resistance of amorphous hydrogenated silicon carbide. In ACTA MATERIALIA. ISSN 1359-6454, FEB 15 2019, vol. 165, p. 587-602. Kategória AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2015 
článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2015
Počet záznamov: 1