Structural and Electrical Characterization of SiGe Heterostructures Containing a Pure Ge Strained Quantum Well

Počet záznamov: 1

Názov	Structural and Electrical Characterization of SiGe Heterostructures Containing a Pure Ge Strained Quantum Well
Autor	Hassan A.H.A.
Spoluautori	Mironov O.A.
	Dobbie A.
	Morris R.J.H.
	Halpin J.E.
	Shah V.A.
	Myronov M.
	Leadley D.R.
	Feher Alexander
	Čižmár E.
	Gabáni Slavomír 1974- SAVEXFYZ - Ústav experimentálnej fyziky SAV ^RID ^RID ^ORCID
	Andrievskii V.V.
	Berkutov I.B.

Zdroj.dok.	ELNANO 2013 : 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, Kiev, Ukraine, 16 - 19 April 2013. p. 51-55. - [S.l. : s.n.], 2013 ; ELNANO 2013 International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Ohlasy	LU, T. M. - HARRIS, C. T. - HUANG, S. H. - CHUANG, Y. - LI, J. Y. - LIU, C. W. Effective g factor of low-density two-dimensional holes in a Ge quantum well. In Applied Physics Letters. ISSN 00036951, 2017-09-04, 111, 10.
Kategória	AFC - Publikované príspevky na zahraničných vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2013
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
DOI	10.1109/ELNANO.2013.6552021

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2013

Počet záznamov: 1