Počet záznamov: 1
Post-deposition annealing and thermal stability of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs
Názov Post-deposition annealing and thermal stability of integrated self-aligned E/D-mode n++GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs Autor Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Spoluautori Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Haščík Štefan 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Šoltýs Ján 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Šatka A. Nagy L. Chvála A. Marek J. Priesol J. Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. ASDAM 2016 : the 11th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 177-180. - : IEEE, 2016 / Haščík Štefan 1956 ; Dzuba Jaroslav 1987 ; Vanko Gabriel 1981 Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Kategória ADMB - Vedecké práce v zahraničných neimpaktovaných časopisoch registrovaných vo WOS Core Collection alebo SCOPUS Kategória (od 2022) V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu Typ výstupu článok Rok vykazovania 2016 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS DOI 10.1109/ASDAM.2016.7805924 
článok
rok CC IF IF Q (best) JCR Av Jour IF Perc SJR SJR Q (best) CiteScore N rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2016
Počet záznamov: 1