Formation of a compact Ga-doped ZnO layer over vertical free-standing GaP nanowires

Počet záznamov: 1

Názov	Formation of a compact Ga-doped ZnO layer over vertical free-standing GaP nanowires
Autor	Laurenčíková Agáta 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
Spoluautori	Novotný I.
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Dérer Ján 1948 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Kováč Jaroslav
	Kováč Jaroslav Jr.
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Novák Jozef 1951 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

Zdroj.dok.	Applied Surface Science. Vol. 395 (2017), p. 162-165
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2017
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.apsusc.2016.07.152

článok

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2017	2016	3.387	Q1	0.958	Q1

Počet záznamov: 1