Počet záznamov: 1  

Temperature-induced instability of the threshold voltage in GaN-based heterostructure field-effect transistors

  1. NázovTemperature-induced instability of the threshold voltage in GaN-based heterostructure field-effect transistors
    Autor Florovič M.
    Spoluautori Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Kováč Jaroslav

    Kordoš Peter

    Zdroj.dok. Semiconductor Science and Technology. Vol. 32 (2017), art. no. 025017
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyWANG, N. - WANG, H. - LIN, X.P. - QI, Y.L. - DUAN, T.L. - JIANG, L.L. - IERVOLINO, E. - CHENG, K. - YU, H.Y. In AIP ADVANCES. SEP 2017, vol. 7, no. 9.
    LALINSKY, T. - VANKO, G. - DOBROCKA, E. - OSVALD, J. - BABCHENKO, O. - DZUBA, J. - VESELY, M. - VANCO, L. - VOGRINCIC, P. - VINCZE, A. In PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. DEC 2017, vol. 214, no. 12.
    CHAKRABORTY, A. - GHOSH, S. - MUKHOPADHYAY, P. - DAS, S. - BAG, A. - BISWAS, D. Effect of trapped charge in AlGaN/GaN and AlGaN/InGaN/GaN heterostructure by temperature dependent threshold voltage analysis. In SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES. JAN 2018, vol. 113, p. 147-152.
    CUI, Miao - SUN, Ruize - BU, Qinglei - LIU, Wen - WEN, Huiqing - LI, Ang - LIANG, Yung C. - ZHAO, Cezhou. Monolithic GaN Half-Bridge Stages With Integrated Gate Drivers for High Temperature DC-DC Buck Converters. In IEEE ACCESS. ISSN 2169-3536, 2019, vol. 7, no., pp. 184375-184384.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2017
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1088/1361-6641/aa5253
    článok

    článok

    Názov súboruPrístupVeľkosťStiahnutéTypLicence
    Temperature-induced instability of the threshold voltage in GaN-based heterostructure field-effect transistors.pdfNeprístupný/archív915.3 KB1Vydavateľská verzia
    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201720162.305Q20.793Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.