Hafnium oxide as a promising material for gate isolation in GaN-based MOS HFETs

Počet záznamov: 1

Názov	Hafnium oxide as a promising material for gate isolation in GaN-based MOS HFETs
Autor	Brytavskyi I.V.
Spoluautori	Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Seifertová Alena 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	ADEPT 2017 : proceedings of the 5th International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies, Podbanské, High Tatras, Slovakia, June 19-22, 2017. P. 207-210. - Žilina : University of Žilina, 2017 / Lettrichová I. ; Šušlik Ľ. ; Kováč Jaroslav Jr.
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rzb)
Kategória	AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
Rok vykazovania	2017

článok

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2017

Počet záznamov: 1