Počet záznamov: 1  

Characterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations

  1. NázovCharacterization of monolithic InAlN/GaN NAND logic cell supported by circuit and device simulations
    Autor Chvála A.
    Spoluautori Nagy L.

    Marek J.

    Priesol J.

    Donoval D.

    Blaho Michal 1983 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV

    Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV    ORCID

    Šatka A.

    Zdroj.dok. IEEE Transactions on Electron Devices. Vol. 65 (2018), p. 2666-2669
    Jazyk dok.eng - angličtina
    Druh dok.rozpis článkov z periodík (rbx)
    OhlasyHWANG, I.T. - JANG, K.W. - KIM, H.J. - LEE, S.H. - LIM, J.W. - YANG, J.M. - KWON, H.S. - KIM, H.S. Analysis of DC Characteristics in GaN-Based Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistor with Variation of Gate Dielectric Layer Composition by Considering Self-Heating Effect. In APPLIED SCIENCES-BASEL. SEP 1 2019, vol. 9, no. 17.
    GUAN, H. - WANG, S.X. - CHEN, L.L. - GAO, B. - WANG, Y. - JIANG, C.Y. Channel Characteristics of InAs/AlSb Heterojunction Epitaxy: Comparative Study on Epitaxies with Different Thickness of InAs Channel and AlSb Upper Barrier. In COATINGS. ISSN 2079-6412, MAY 2019, vol. 9, no. 5.
    LIAO, B.Y. - ZHOU, Q.B. - QIN, J. - WANG, H. Simulation of AlGaN/GaN HEMTs' Breakdown Voltage Enhancement Using Gate Field-Plate, Source Field-Plate and Drain Field Plate. In ELECTRONICS. ISSN 2079-9292, APR 2019, vol. 8, no. 4.
    LV, Z.H. - XU, Z.W. - SONG, C.Y. A compact model for dual-gate GaAs PHEMT and application for power amplifier design. In IEICE ELECTRONICS EXPRESS. ISSN 1349-2543, OCT 25 2021, vol. 18, no. 20.
    KategóriaADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
    Kategória (od 2022)V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
    Typ výstupučlánok
    Rok vykazovania2018
    Registrované vWOS
    Registrované vSCOPUS
    Registrované vCCC
    DOI 10.1109/TED.2018.2828464
    článok

    článok

    rokCCIFIF Q (best)JCR Av Jour IF PercSJRSJR Q (best)CiteScore
    A
    rok vydaniarok metrikyIFIF Q (best)SJRSJR Q (best)
    201820172.620Q20.839Q1
Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.