Počet záznamov: 1
Determination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers
Názov Determination of secondary-ions yield in SIMS depth profiling of Si, Mg, and C ions implanted GaN epitaxial layers Autor Ťapajna Milan 1977 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Spoluautori Vincze A. Noga Pavol Dobrovodský Jozef Šagátová A. Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Gregušová Dagmar 1958 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ORCID Zdroj.dok. ASDAM 2018 : The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems. P. 141-144. - : IEEE, 2018 / Breza J. ; Donoval D. ; Vavrinský E. ; ASDAM 2018 The Twelfth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems Jazyk dok. eng - angličtina Druh dok. rozpis článkov z periodík (rzb) Ohlasy SENEVIRATHNA, M.K.I. - VERNON, M. - COOKE, G.A. - CROSS, G.B. - KOZHANOV, A. - WILLIAMS, M.D. Analysis of useful ion yield for Si in GaN by secondary ion mass spectrometry. In JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. ISSN 2166-2746, JUL 2020, vol. 38, no. 4. HAJEK, F. - HOSPODKOVA, A. - HUBACEK, T. - OSWALD, J. - PANGRAC, J. - DOMINEC, F. - HORESOVSKY, R. - KULDOVA, K. Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells. In JOURNAL OF LUMINESCENCE. ISSN 0022-2313, AUG 2021, vol. 236. Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Rok vykazovania 2018 Registrované v WOS Registrované v SCOPUS DOI 10.1109/ASDAM.2018.8544657 
článok
rok vydania rok metriky IF IF Q (best) SJR SJR Q (best) 2018
Počet záznamov: 1