Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick InxAl1-xN layer

Počet záznamov: 1

Názov	Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick InxAl1-xN layer
Autor	Chauhan Prerna SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV
Spoluautori	Hasenöhrl Stanislav 1956 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Dobročka Edmund 1955 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Vančo L.
	Stoklas Roman 1981 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID
	Kováč Jaroslav
	Šiffalovič Peter 1975 SAVFYZIK - Fyzikálny ústav SAV ^ORCID
	Kuzmík Ján 1960 SAVELEK - Elektrotechnický ústav SAV ^ORCID

Zdroj.dok.	Applied Surface Science. Vol. 470 (2019), p. 1-7
Jazyk dok.	eng - angličtina
Druh dok.	rozpis článkov z periodík (rbx)
Ohlasy	BANGOLLA, H.K. - SIAO, M.D. - HUANG, Y.H. - CHEN, R.S. - ZUKAUSKAITE, A. - PALISAITIS, J. - PERSSON, P.O.A. - HULTMAN, L. - BIRCH, J. - HSIAO, C.L. Composition-dependent photoconductivities in indium aluminium nitride nanorods grown by magnetron sputter epitaxy. In NANOSCALE ADVANCES. ISSN 2516-0230, NOV 8 2022, vol. 4, no. 22, p. 4886-4894. Dostupné na: https://doi.org/10.1039/d2na00456a.
	He, X., Liu, R., Xue, Y., Zuo, R.: Review of gas phase and surface reactions in AlN MOCVD In Huagong Xuebao/CIESC Journal 74(2023), pp. 2800-2813
Kategória	ADCA - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch impaktovaných
Kategória (od 2022)	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
Typ výstupu	článok
Rok vykazovania	2019
Registrované v	WOS
Registrované v	SCOPUS
Registrované v	CCC
DOI	10.1016/j.apsusc.2018.10.231

článok

	Názov súboru	Prístup	Veľkosť	Stiahnuté	Typ	Licence
	Effect of temperature and carrier gas on the properties of thick N layer.pdf	Prístupný	3.2 MB	0	Vydavateľská verzia

rok	CC	IF	IF Q (best)	JCR Av Jour IF Perc	SJR	SJR Q (best)	CiteScore
	A

rok vydania	rok metriky	IF	IF Q (best)	SJR	SJR Q (best)
2019	2018	5.155	Q1	1.115	Q1

Počet záznamov: 1